Bipolartransistor 2SA512

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA512

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2SA512

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA512 kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA512-O liegt im Bereich von 50 bis 150, die des 2SA512-R im Bereich von 30 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA512-Transistor könnte nur mit "A512" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA512 ist der 2SC512.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA512

Sie können den Transistor 2SA512 durch einen 2N5322 oder 2SA510 ersetzen.
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