Bipolartransistor 2SC512

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC512

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2SC512

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC512 kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC512-O liegt im Bereich von 50 bis 150, die des 2SC512-R im Bereich von 30 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC512-Transistor könnte nur mit "C512" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC512 ist der 2SA512.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC512

Sie können den Transistor 2SC512 durch einen 2N5320, 2N5334, 2N5335 oder 2SC510 ersetzen.
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