Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1376-L
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 135 bis 270
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1376-L
Der 2SA1376-L wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1376-L kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1376 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des 2SA1376-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA1376-U im Bereich von 300 bis 600.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1376-L-Transistor könnte nur mit "A1376-L" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1376-L ist der 2SC3478-L.
