Bipolartransistor 2SA1376A-L

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1376A-L

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 135 bis 270
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA1376A-L

Der 2SA1376A-L wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1376A-L kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1376A liegt im Bereich von 135 bis 400, die des 2SA1376A-K im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1376A-L-Transistor könnte nur mit "A1376A-L" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1376A-L ist der 2SC3478A-L.

SMD-Version des Transistors 2SA1376A-L

Der BF623 (SOT-89) und BF823 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1376A-L-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1376A-L

Sie können den Transistor 2SA1376A-L durch einen 2SA1370, 2SA1371, 2SA1624 oder KTA1279 ersetzen.
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