Bipolartransistor 2SA1300

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1300

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -20 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA1300

Der 2SA1300 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1300 kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1300-BL liegt im Bereich von 300 bis 600, die des 2SA1300-GR im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA1300-Y im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1300-Transistor könnte nur mit "A1300" gekennzeichnet sein.
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