Bipolartransistor 2SA1213-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1213-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SA1213-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1213-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1213 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SA1213-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der 2SA1213-O-Transistor ist als "NO" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1213-O ist der 2SC2873-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1213-O

Sie können den Transistor 2SA1213-O durch einen 2DA1213 oder 2DA1213O ersetzen.
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