Bipolartransistor 2DA1213O
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2DA1213O
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
- Verlustleistung, max: 1 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
- Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-89
- Electrically Similar to the Popular 2SA1213-O transistor
Pinbelegung des 2DA1213O
Klassifizierung von hFE
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2DA1213O
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