Bipolartransistor 2DA1213O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2DA1213O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89
  • Electrically Similar to the Popular 2SA1213-O transistor

Pinbelegung des 2DA1213O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2DA1213O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2DA1213 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2DA1213Y im Bereich von 120 bis 240.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2DA1213O

Sie können den Transistor 2DA1213O durch einen 2SA1213 oder 2SA1213-O ersetzen.
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