Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1091-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 90
Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1091-R
Der 2SA1091-R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1091-R kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 90 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1091 liegt im Bereich von 30 bis 150, die des 2SA1091-O im Bereich von 50 bis 150.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1091-R-Transistor könnte nur mit "A1091-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1091-R ist der 2SC2551-R.
SMD-Version des Transistors 2SA1091-R
Der 2SA1721 (SOT-23) und 2SA1721-R (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1091-R-Transistors.
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