Bipolartransistor 2N6514

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6514

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 350 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 50
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6514

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6514

Sie können den Transistor 2N6514 durch einen 2N6251, 2N6512, 2N6513, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SD822, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006 oder MJ16008 ersetzen.
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