Bipolartransistor 2N6512

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
• Verlustleistung, max: 120 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 10 bis 50
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N6512 durch einen 2N6251, 2N6513, 2N6514, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SD822, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006 oder MJ16008 ersetzen.