Bipolartransistor 2N6470

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6470

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6470

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6470

Sie können den Transistor 2N6470 durch einen 2N6471, 2N6472, BDW51, KD501, KD502 oder KD503 ersetzen.
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