Bipolartransistor BDW51

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW51

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 150
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDW51

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW51 ist der BDW52.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW51

Sie können den Transistor BDW51 durch einen 2N6471, 2N6472, KD502 oder KD503 ersetzen.

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