Bipolartransistor KD501

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 20 A
• Verlustleistung, max: 150 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +155 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor KD501 durch einen 2N3771, 2N3771G, 2N3772, 2N3772G, 2N5301, 2N5302, 2N5302G, 2N5303, 2N5685, 2N5685G, 2N5686, 2N5686G, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6282, 2N6282G, 2N6283, 2N6283G, 2SC2434, 2SD797, BDX69, BDX69A, KD502, KD503, MJ11012, MJ11012G, MJ11028, MJ11028G, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.