Bipolartransistor 2N6111G
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6111G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
- Der 2N6111G ist die bleifreie Version des 2N6111-Transistors
Pinbelegung des 2N6111G
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6111G
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