Bipolartransistor 2N6111G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6111G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der 2N6111G ist die bleifreie Version des 2N6111-Transistors

Pinbelegung des 2N6111G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6111G ist der 2N6288G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6111G

Sie können den Transistor 2N6111G durch einen 2N6106, 2N6108, 2N6109, 2N6109G, 2N6111, 2N6489, 2N6489G, 2N6490, 2N6490G, BD202, BD204, BD302, BD304, BD706, BD708, BD744, BD744A, BD796, BD798, BD808, BD906, BD908, BDT92 oder BDT92F ersetzen.
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