Bipolartransistor 2N5987
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5987
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 120
- Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-127
Pinbelegung des 2N5987
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5987
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