Bipolartransistor 2N5337
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5337
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
- Verlustleistung, max: 6 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 240
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-39
Pinbelegung des 2N5337
SMD-Version des Transistors 2N5337
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5337
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com