Bipolartransistor 2N5339

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5339

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 6 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N5339

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors 2N5339

Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2N5339-Transistors.
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