Bipolartransistor 2N5087

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5087

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -3 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2N5087

Der 2N5087 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors 2N5087

Der KST5087 (SOT-23) und MMBT5087 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N5087-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5087

Sie können den Transistor 2N5087 durch einen KSP55, KSP56, KTC9015, MPS751, MPS751G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G oder ZTX792A ersetzen.
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