Transistor bipolare S8550B
Caratteristiche elettriche del transistor S8550B
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -25 V
- Tensione massima collettore-base: -40 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -0.5 A
- Dissipazione di potenza: 0.625 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 85 a 160
- Frequenza di transizione: 150 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-92
Piedinatura del S8550B
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
Sostituzione ed equivalenti per il transistor S8550B
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