Transistor bipolar MPS8550B

Características del transistor MPS8550B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del MPS8550B

El MPS8550B se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor MPS8550B puede tener una ganancia de corriente de 85 a 160. La ganancia del MPS8550 estará en el rango de 85 a 300, para el MPS8550C estará en el rango de 120 a 200, para el MPS8550D estará en el rango de 160 a 300.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MPS8550B es el MPS8050B.

Versión SMD del transistor MPS8550B

El MMBT3702 (SOT-23), MPS8550S (SOT-23) y MPS8550S-B (SOT-23) es la versión SMD del transistor MPS8550B.

Sustitución y equivalentes para el transistor MPS8550B

Puede sustituir el MPS8550B por el MPS750, MPS750G, SS8550 o SS8550B.
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