Transistor bipolare MMBT100
Caratteristiche elettriche del transistor MMBT100
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 45 V
- Tensione massima collettore-base: 75 V
- Tensione massima emettitore-base: 6 V
- Corrente di collettore continua: 0.5 A
- Dissipazione di potenza: 0.35 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 450
- Frequenza di transizione: 250 MHz
- Figura di rumore massima: 5 dB
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular PN100 transistor
Piedinatura del MMBT100
Transistor MMBT100 in pacchetto TO-92
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MMBT100
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