Transistor bipolare MJE5731G
Caratteristiche elettriche del transistor MJE5731G
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -350 V
- Tensione massima collettore-base: -350 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -1 A
- Dissipazione di potenza: 40 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 30 a 150
- Frequenza di transizione: 10 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220
- MJE5731G 2m è la versione senza piombo del transistor MJE5731
Piedinatura del MJE5731G
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJE5731G
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