Transistor bipolar MJE200G
Características del transistor MJE200G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 15 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 45 a 180
- Frecuencia máxima de trabajo: 65 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- El MJE200G es la versión sin plomo del transistor MJE200
Diagrama de pines del MJE200G
Sustitución y equivalentes para el transistor MJE200G
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com