Transistor bipolar MJE200G

Características del transistor MJE200G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 15 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 45 a 180
  • Frecuencia máxima de trabajo: 65 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • El MJE200G es la versión sin plomo del transistor MJE200

Diagrama de pines del MJE200G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE200G

Puede sustituir el MJE200G por el KSE200 o MJE200.
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