Transistor bipolare MJD3055T4G

Caratteristiche elettriche del transistor

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: V
  • Tensione massima collettore-base: V
  • Corrente di collettore continua: 0 A
  • Dissipazione di potenza: 0 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe):
  • Tipo di pacchetto:

Piedinatura del

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor

È possibile sostituire il con i transistor MJD3055, MJD3055G o MJD3055T4.
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