Transistor bipolar MJD3055G

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 70 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
• Disipación de Potencia Máxima: 20 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 20 a 100
• Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor
• El MJD3055G es la versión sin plomo del transistor MJD3055

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor MJD3055G está marcado como "J3055G".El transistor PNP complementario del MJD3055G es el MJD2955G.Puede sustituir el MJD3055G por el MJD3055, MJD3055T4 o MJD3055T4G.