Transistor bipolare MJD3055T4

Caratteristiche elettriche del transistor MJD3055T4

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 60 V
  • Tensione massima collettore-base: 70 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 10 A
  • Dissipazione di potenza: 20 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 20 a 100
  • Frequenza di transizione: 2 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor

Piedinatura del MJD3055T4

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJD3055T4

È possibile sostituire il MJD3055T4 con i transistor MJD3055, MJD3055G o MJD3055T4G.
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