Transistor bipolare MJD3055

• Tipo di transistor: NPN
• Tensione massima collettore-emettitore: 60 V
• Tensione massima collettore-base: 70 V
• Tensione massima emettitore-base: 5 V
• Corrente di collettore continua: 10 A
• Dissipazione di potenza: 20 W
• Guadagno di corrente CC (h_fe): da 20 a 100
• Frequenza di transizione: 2 MHz
• Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
• Tipo di pacchetto: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.È possibile sostituire il MJD3055 con i transistor MJD3055G, MJD3055T4 o MJD3055T4G.Il transistor MJD3055G è la versione senza piombo del MJD3055.