Transistor bipolare MJD122-1
Caratteristiche elettriche del transistor MJD122-1
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
- Tensione massima collettore-base: 100 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 8 A
- Dissipazione di potenza: 20 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 1000 a 12000
- Frequenza di transizione: 4 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-251
- Electrically Similar to the Popular TIP122 transistor
Piedinatura del MJD122-1
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJD122-1
Versione senza piombo
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