Transistor bipolare MJD112T4
Caratteristiche elettriche del transistor MJD112T4
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
- Tensione massima collettore-base: 100 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 2 A
- Dissipazione di potenza: 20 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 1000 a 12000
- Frequenza di transizione: 25 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-252
- Electrically Similar to the Popular TIP112 transistor
Piedinatura del MJD112T4
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJD112T4
Versione senza piombo
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