Transistor bipolare MJD112

• Tipo di transistor: NPN
• Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
• Tensione massima collettore-base: 100 V
• Tensione massima emettitore-base: 5 V
• Corrente di collettore continua: 2 A
• Dissipazione di potenza: 20 W
• Guadagno di corrente CC (h_fe): da 1000 a 12000
• Frequenza di transizione: 25 MHz
• Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
• Tipo di pacchetto: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP112 transistor

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.È possibile sostituire il MJD112 con i transistor MJD112G, MJD112T4, MJD112T4G, MJD122, MJD122G, MJD122T4 o MJD122T4G.Il transistor MJD112G è la versione senza piombo del MJD112.