Transistor bipolare MJ8502
Caratteristiche elettriche del transistor MJ8502
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 700 V
- Tensione massima collettore-base: 1200 V
- Tensione massima emettitore-base: 8 V
- Corrente di collettore continua: 5 A
- Dissipazione di potenza: 150 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 8
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3
Piedinatura del MJ8502
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ8502
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