Transistor bipolar MJ12005

Características del transistor MJ12005

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 750 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 1500 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 12
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ12005

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
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