Transistor bipolare MJ12003

Caratteristiche elettriche del transistor MJ12003

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 750 V
  • Tensione massima collettore-base: 1500 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 4 A
  • Dissipazione di potenza: 100 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 6
  • Frequenza di transizione: 4 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3

Piedinatura del MJ12003

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ12003

È possibile sostituire il MJ12003 con i transistor MJ12004, MJ12005, MJ8503 o MJ8505.
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