Transistor bipolare MJ11032G

Caratteristiche elettriche del transistor MJ11032G

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 120 V
  • Tensione massima collettore-base: 120 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 50 A
  • Dissipazione di potenza: 300 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 1000 a 18000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3
  • MJ11032G 2m è la versione senza piombo del transistor MJ11032

Piedinatura del MJ11032G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

MJ11032G equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ11032G

È possibile sostituire il MJ11032G con i transistor MJ11032.
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