Transistor bipolare MJ11032

Caratteristiche elettriche del transistor MJ11032

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 120 V
  • Tensione massima collettore-base: 120 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 50 A
  • Dissipazione di potenza: 300 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 1000 a 18000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3

Piedinatura del MJ11032

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

MJ11032 equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ11032

È possibile sostituire il MJ11032 con i transistor MJ11032G.

Versione senza piombo

Il transistor MJ11032G è la versione senza piombo del MJ11032.
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