Transistor bipolare KTB817B-O

Caratteristiche elettriche del transistor KTB817B-O

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -140 V
  • Tensione massima collettore-base: -160 V
  • Tensione massima emettitore-base: -6 V
  • Corrente di collettore continua: -12 A
  • Dissipazione di potenza: 100 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 120
  • Frequenza di transizione: 15 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SB817-D transistor

Piedinatura del KTB817B-O

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor KTB817B-O

È possibile sostituire il KTB817B-O con i transistor 2SA1294, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2063, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SA2223A, 2SB1162, 2SB1162-Q, 2SB1163, 2SB1163-Q, 2SB1429, 2SB817, 2SB817-D, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB817, KTB817-O, MAG9413, MJW1302A, MJW1302AG o NTE2329.
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