Transistor bipolar NTE2329

Características del transistor NTE2329

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 55 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 25 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Diagrama de pines del NTE2329

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del NTE2329 es el NTE2328.

Sustitución y equivalentes para el transistor NTE2329

Puede sustituir el NTE2329 por el 2SA1302, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, MJW1302A o MJW1302AG.
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