Transistor bipolare KD501
Caratteristiche elettriche del transistor KD501
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 40 V
- Tensione massima collettore-base: 40 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 20 A
- Dissipazione di potenza: 150 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 15
- Frequenza di transizione: 2 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -50 to +155 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3
Piedinatura del KD501
Sostituzione ed equivalenti per il transistor KD501
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