Transistor bipolare HSB1109-D

Caratteristiche elettriche del transistor HSB1109-D

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -160 V
  • Tensione massima collettore-base: -160 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -0.1 A
  • Dissipazione di potenza: 1.25 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 160 a 320
  • Frequenza di transizione: 140 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -50 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1109-D transistor

Piedinatura del HSB1109-D

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor HSB1109-D

È possibile sostituire il HSB1109-D con i transistor 2SA1142, 2SA1142P, 2SA1209, 2SA1210, 2SA1220A, 2SA1220A-P, 2SA1248, 2SA1249, 2SA1352, 2SA1352-F, 2SA1353, 2SA1353-F, 2SA1380, 2SA1380-F, 2SA1381, 2SA1381-F, 2SA1406, 2SA1406-F, 2SA1407, 2SA1407-F, 2SA1477, 2SA1478, 2SA1478-F, 2SA1479, 2SA1479-F, 2SA1480, 2SA1480-F, 2SA1507, 2SA1540, 2SA1540-F, 2SA1541, 2SA1541-F, 2SA795A, 2SB1109, 2SB1109-D, 2SB1110, 2SB1110-D, KSA1142, KSA1142Y, KSA1220A, KSA1220A-Y, KSA1381 o KSA1381-F.
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