Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -50 to +150 °C
Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del 2SB1109-D
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor 2SB1109-D puede tener una ganancia de corriente de 160 a 320. La ganancia del 2SB1109 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB1109-B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB1109-C estará en el rango de 100 a 200.
Marcado
A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1109-D puede estar marcado sólo como "B1109-D".
Transistor NPN complementario
El transistor NPN complementario del 2SB1109-D es el 2SD1609-D.