Transistor bipolare BDV65B

Caratteristiche elettriche del transistor BDV65B

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
  • Tensione massima collettore-base: 100 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 10 A
  • Dissipazione di potenza: 125 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-247

Piedinatura del BDV65B

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

BDV65B equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDV65B

È possibile sostituire il BDV65B con i transistor 2SD1197, 2SD2390, 2SD2390-O, 2SD2390-P, 2SD2390-Y, BDV65BG, BDV67B, BDV67C, BDV67D, TIP142 o TIP142G.

Versione senza piombo

Il transistor BDV65BG è la versione senza piombo del BDV65B.
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