Transistor bipolar BDV65BG

Características del transistor BDV65BG

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-247
  • El BDV65BG es la versión sin plomo del transistor BDV65B

Diagrama de pines del BDV65BG

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BDV65BG equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDV65BG es el BDV64BG.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDV65BG

Puede sustituir el BDV65BG por el 2SD1197, 2SD2390, 2SD2390-O, 2SD2390-P, 2SD2390-Y, BDV65B, BDV67B, BDV67C, BDV67D, TIP142 o TIP142G.
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