Transistor bipolare BDV64BG
Caratteristiche elettriche del transistor BDV64BG
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
- Tensione massima collettore-base: -100 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -10 A
- Dissipazione di potenza: 125 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-247
- BDV64BG 2m è la versione senza piombo del transistor BDV64B
Piedinatura del BDV64BG
Equivalent circuit
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDV64BG
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