Transistor bipolare BDV64B

Caratteristiche elettriche del transistor BDV64B

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
  • Tensione massima collettore-base: -100 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -10 A
  • Dissipazione di potenza: 125 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-247

Piedinatura del BDV64B

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

BDV64B equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDV64B

È possibile sostituire il BDV64B con i transistor 2SB1560, 2SB1560-O, 2SB1560-P, 2SB1560-Y, 2SB887, BDV64BG, BDV66B, BDV66C, BDV66D, TIP147 o TIP147G.

Versione senza piombo

Il transistor BDV64BG è la versione senza piombo del BDV64B.
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