Transistor bipolare BDT32C

Caratteristiche elettriche del transistor BDT32C

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -100 V
  • Tensione massima collettore-base: -140 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -3 A
  • Dissipazione di potenza: 40 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 10 a 50
  • Frequenza di transizione: 3 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220

Piedinatura del BDT32C

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDT32C

È possibile sostituire il BDT32C con i transistor MJF32C, MJF32CG, TIP32C, TIP32CF, TIP32CG, TIP32D, TIP32E o TIP32F.
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