Transistor bipolar TIP32E

Características del transistor TIP32E

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 10 a 50
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del TIP32E

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del TIP32E es el TIP31E.

Sustitución y equivalentes para el transistor TIP32E

Puede sustituir el TIP32E por el TIP32D o TIP32F.
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