Transistor bipolare BDT30F

Caratteristiche elettriche del transistor BDT30F

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -40 V
  • Tensione massima collettore-base: -80 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -1 A
  • Dissipazione di potenza: 19 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 15 a 75
  • Frequenza di transizione: 3 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT30 transistor

Piedinatura del BDT30F

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDT30F

È possibile sostituire il BDT30F con i transistor BD706, BD708, BD710, BD906, BD908, BD910, BDT30AF, BDT30BF, BDT42, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42F, D44C10, D44C4, D44C7, D45C10, D45C4, D45C7, TIP30, TIP30A, TIP30AG, TIP30B, TIP30BG, TIP30G, TIP42, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG o TIP42G.
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