Transistor bipolare BDT30F
Caratteristiche elettriche del transistor BDT30F
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -40 V
- Tensione massima collettore-base: -80 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -1 A
- Dissipazione di potenza: 19 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 15 a 75
- Frequenza di transizione: 3 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular BDT30 transistor
Piedinatura del BDT30F
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BDT30F
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