Transistor bipolar BDT30AF

Características del transistor BDT30AF

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 19 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 75
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT30A transistor

Diagrama de pines del BDT30AF

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT30AF es el BDT29AF.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT30AF

Puede sustituir el BDT30AF por el 2N6475, 2N6476, BD708, BD710, BD712, BD908, BD910, BD912, BDT30BF, BDT30CF, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, D44C10, D44C7, D45C10, D45C7, MJE5170, TIP30A, TIP30AG, TIP30B, TIP30BG, TIP30C, TIP30CG, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF o TIP42CG.
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