Transistor bipolare BD679G
Caratteristiche elettriche del transistor BD679G
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 80 V
- Tensione massima collettore-base: 80 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 4 A
- Dissipazione di potenza: 40 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 750
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-126
- BD679G 2m è la versione senza piombo del transistor BD679
Piedinatura del BD679G
Sostituzione ed equivalenti per il transistor BD679G
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