Transistor bipolare BD679

Caratteristiche elettriche del transistor BD679

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 80 V
  • Tensione massima collettore-base: 80 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 4 A
  • Dissipazione di potenza: 40 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 750
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE802 transistor

Piedinatura del BD679

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

BD679 equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor BD679

È possibile sostituire il BD679 con i transistor 2N6039, 2N6039G, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.

Versione senza piombo

Il transistor BD679G è la versione senza piombo del BD679.
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